1:電路原理:電路圖如下

可控硅調(diào)壓器由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成，其電路原里圖如圖所示。從圖中可知，二極管D1-D4組成橋式整流電路，雙基極二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發(fā)電路。當調(diào)壓器接上市電后，220V交流電通過負載電阻RL經(jīng)二極管D1-D4整流，在可控硅SCR的A、K兩端形成一個脈動直流電壓，該電壓由電阻R1降壓后作為觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時，整流電壓通過R4、W1對電容C充電。當充電電壓Uc達到T1管的峰值電壓Up時，T1管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，于是電容C通過T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電，結(jié)果在R2上獲得一個尖脈沖。這個脈沖作為控制信號送到可控硅SCR的控制極，使可控硅導(dǎo)通?？煽毓鑼?dǎo)通后的管壓降很低，一般小于1V，所以張弛振蕩器停止工作。當交流電通過零點時，可控硅自關(guān)斷。當交流電在負半周時，電容C又從新充電……如此周而復(fù)始，便可調(diào)整負載RL上的功率了。 

2:元器件選擇 

可控硅調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器，這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1-D4選用反向擊穿電壓大于300V、最大整流電流大于0.3A的硅整流二極管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件，如國產(chǎn)3CT系例。